rtp设备的原理是什么?争对rtp工艺进行解说!

rtp是应为RapidThermalProcessing的简称，也就是一种快速热处理，是在一个短暂的时间内实现加热，在半导体领域就是例如给硅片加热至400~1300℃这个范围，这种操作是有一定优势，以下内容当中会涉及到，相对于半导体领域的rtp设备或其他设备在供电上使用的门徒平台是可以直接咨询我们门徒厂家，厂家直接对接更放心。

rtp设备的原理：

RTP(RapidThermalProcessing)是一种在很短的时间内将整个硅片加热到400~1300湿度范围的方法。与炉管退火相比，它具有热预算少、硅中杂质运动少、污染少、加工时间短的特点。

当杂质离子注入半导体时，高能入射离子会与半导体晶格中的原子发生碰撞，导致部分晶格原子发生位移，产生大量空位，从而导致注入区域的原子发生无序或变成非晶区

因此，在离子注入后，半导体必须在一定温度下退火，以恢复晶体结构并消除缺陷。同时，退火还具有激活施主和受主杂质的作用，即退火间隙位置的一些杂质原子，使其进入取代位置。

Rtp工艺：

RTP快速热处理是一种加热速度非常快、保温时间短的热处理方法。升温速率可达每秒10~100摄氏度。一般采用红外卤素灯或电阻棒加热。加热时电流很大，功率很大。

在半导体制造中使用专用的RTP炉进行实验室等实验是一种工艺，可以用于离子注入后杂质的快速活化、快速热氧化等。这种方法可以大大节省热处理时间，降低生产成本，是热处理的一种创新。

快速退火炉采用卤素红外灯作为热源，通过极快的加热速度将晶圆或材料快速加热到300-1200，从而消除晶圆或材料内部的一些缺陷，提高产品性能。

快速退火炉采用先进的微机控制系统和pid闭环温度控制，可实现极高的温度控制精度和温度均匀性，并可根据用户工艺要求配备真空室或多通道气体。